ti เจือไวโอเล็ตทังสเตนออกไซด์
Ti เจือไวโอเล็ตทังสเตนออกไซด์คือการเติมอะตอมไทเทเนียมลงในผลึกขัดเงาของ VTO (W18O49) เพื่อสร้างผลึกตาข่ายชนิดใหม่ การวิเคราะห์บ่งชี้ว่าหลังจากที่ Ti เข้าสู่ตาข่ายคริสตัลทังสเตนออกไซด์สีม่วงและแทนที่อะตอม W ดังนั้นเพื่อโต้ตอบกับอะตอมข้างเคียงซึ่งอยู่ใกล้เคียงกันการครอบครองอิเล็กตรอนของอะตอมของ Ti ไปยังวงโคจรจะทำให้เกิดการทับซ้อนของฟังก์ชันคลื่นอิเล็กทรอนิกส์ ส่งผลกระทบต่อโครงสร้างแถบพลังงานของเส้นลวดนาโนใกล้ระดับเฟอร์มิ
เหตุผลหลักที่ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิคผิวของ nanowires ของ Ti doped violet ทังสเตนออกไซด์คือ Ti doping ของ orbitals ไฮบริดและความหนาแน่นของสถานะสิ่งเจือปนที่เพิ่มขึ้นในขณะที่คุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของพื้นผิว และควบคุมคุณสมบัติการดูดซับบนพื้นผิวของเส้นลวดนาโนและยิ่งมีผลกระทบที่ชัดเจนต่อคุณสมบัติความไวต่อแก๊สของเส้นลวดนาโน
เมื่อเทียบกับ WO 3 ที่อิ่มตัวอิ่มตัว Superfine W 18 O 49 ด้วยอัตราส่วน stoichiometric จะมีประสิทธิภาพมาก การตอบสนองที่ไวต่อไนโตรเจนไดออกไซด์ (NO2), แอมโมเนีย (NH3) และก๊าซอื่น ๆ ภายใต้อุณหภูมิต่ำถึงแม้ว่าจะอยู่ที่อุณหภูมิห้องเนื่องจากมีโครงสร้างตาข่ายโดยเฉพาะและมีความหนาแน่นสูง nanowire ออกซิเจนตำแหน่งว่างและสถานะพื้นผิวอื่น ๆ ที่ไม่เสถียร > 18 O 49 มีศักยภาพในการใช้พลังงานต่ำความไวสูงของเซ็นเซอร์ก๊าซ ดังนั้นเราจึงสามารถสรุปได้ว่า Ti doping เป็นวิธีที่มีประสิทธิภาพในการปรับเปลี่ยน W 18 O 49 เซ็นเซอร์ก๊าซที่ใช้ nanowire
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:
